Gofret Geri Taşlama işlemine giriş
1. Geri Taşlamanın Amacı
Gofretlerden yarı iletken yapma sürecinde, gofretlerin görünümü sürekli değişmektedir.İlk olarak, gofret üretim prosesinde gofretin kenarı ve yüzeyi parlatılır; bu işlem genellikle gofretin her iki tarafının da taşlanmasıyla gerçekleşir.Ön uç işlemi bittikten sonra, ön uç işleminde kimyasal kirliliği ortadan kaldırabilen ve talaş kalınlığını azaltabilen, gofretin sadece arkasını taşlayan arka taşlama işlemine başlayabilirsiniz, bu da çok uygundur. IC kartlara veya mobil cihazlara monte edilen ince çiplerin üretimi için.Ayrıca bu prosesin direnci azaltma, güç tüketimini azaltma, termal iletkenliği artırma ve ısıyı levhanın arkasına hızla dağıtma avantajları da vardır.Ancak aynı zamanda, gofretin ince olması nedeniyle dış kuvvetler tarafından kırılması veya bükülmesi kolaydır, bu da işleme adımını daha da zorlaştırır.
2. Geri Taşlama (Geri Taşlama) detaylı işlemi
Geri taşlama aşağıdaki üç aşamaya ayrılabilir: ilk olarak, koruyucu Bant Laminasyonunu levhaya yapıştırın;İkincisi, gofretin arkasını öğütün;Üçüncüsü, çipi Wafer'dan ayırmadan önce, wafer'ın bandı koruyan Wafer Montajının üzerine yerleştirilmesi gerekir.Gofret yama işlemi, gofret parçalarının ayrılması için hazırlık aşamasıdır.yonga(talaşın kesilmesi) ve dolayısıyla kesme işlemine de dahil edilebilir.Son yıllarda talaşlar inceldikçe süreç sırası da değişebiliyor ve süreç adımları daha rafine hale geliyor.
3. Plaka koruması için Bant Laminasyon işlemi
Arka taşlamanın ilk adımı kaplamadır.Bu, bandın gofretin ön kısmına yapıştırıldığı bir kaplama işlemidir.Sırtta taşlama yapılırken, silikon bileşikleri etrafa yayılacak ve bu işlem sırasında levha, dış kuvvetler nedeniyle çatlayabilir veya bükülebilir ve levha alanı ne kadar büyük olursa, bu olaya karşı o kadar duyarlı olur.Bu nedenle, arka kısmı taşlamadan önce, gofreti korumak için ince bir Ultra Violet (UV) mavi film yapıştırılır.
Filmi uygularken levha ile bant arasında boşluk veya hava kabarcığı oluşmaması için yapışma kuvvetinin arttırılması gerekir.Ancak arka tarafı taşlandıktan sonra, yapışkan kuvvetin azaltılması için levha üzerindeki bantın ultraviyole ışına tabi tutulması gerekir.Sıyırma işleminden sonra levha yüzeyinde bant kalıntısı kalmamalıdır.Bazen, işlemde zayıf bir yapışma ve kabarcık eğilimli olmayan ultraviyole azaltıcı membran tedavisi kullanılacaktır, ancak birçok dezavantajı vardır, ancak ucuzdur.Ayrıca UV azaltıcı membranlardan iki kat daha kalın olan Bump filmler de kullanılmakta olup, gelecekte daha sık kullanılması beklenmektedir.
4. Gofret kalınlığı çip paketi ile ters orantılıdır
Arka tarafı öğütüldükten sonra gofret kalınlığı genellikle 800-700 µm'den 80-70 µm'ye düşürülür.Onuncu bire kadar inceltilmiş gofretler dört ila altı katman halinde istiflenebilir.Son zamanlarda, levhalar iki öğütme işlemiyle yaklaşık 20 milimetreye kadar inceltilebilir, böylece çok çipli paket (MCP) olarak bilinen çok katmanlı bir yarı iletken yapı olan 16 ila 32 katmana kadar istiflenebilir.Bu durumda, birden fazla katman kullanılmasına rağmen, bitmiş paketin toplam yüksekliğinin belirli bir kalınlığı aşmaması gerekir, bu nedenle her zaman daha ince öğütme plakaları aranır.Gofret ne kadar ince olursa, kusurlar o kadar fazla olur ve bir sonraki süreç o kadar zor olur.Bu nedenle bu sorunun iyileştirilmesi için ileri teknolojiye ihtiyaç duyulmaktadır.
5. Geri taşlama yönteminin değiştirilmesi
İşleme tekniklerinin sınırlamalarını aşmak için levhaları mümkün olduğu kadar ince keserek, arka öğütme teknolojisi gelişmeye devam ediyor.Kalınlığı 50 veya daha fazla olan sıradan levhalar için, arka taraf Öğütme üç adımdan oluşur: Kaba Öğütme ve ardından iki öğütme seansından sonra yonganın kesilip parlatıldığı İnce Öğütme.Bu noktada, Kimyasal Mekanik Parlatmaya (CMP) benzer şekilde, cila pedi ile levha arasına genellikle Bulamaç ve Deiyonize Su uygulanır.Bu parlatma işlemi, levha ile parlatma pedi arasındaki sürtünmeyi azaltabilir ve yüzeyi parlak hale getirebilir.Gofret daha kalın olduğunda Süper İnce Öğütme kullanılabilir, ancak gofret ne kadar ince olursa o kadar fazla cilalama gerekir.
Gofret incelirse, kesme işlemi sırasında dış kusurlara eğilimli olur.Bu nedenle, levhanın kalınlığı 50 µm veya daha az ise işlem sırası değiştirilebilir.Şu anda DBG (Öğütmeden Önce Küpleme) yöntemi kullanılıyor, yani gofret ilk öğütmeden önce ikiye bölünüyor.Talaş, dilimleme, öğütme ve dilimleme sırasına göre gofretten güvenli bir şekilde ayrılır.Ayrıca gofretin kırılmasını önlemek için güçlü bir cam plaka kullanan özel öğütme yöntemleri de vardır.
Elektrikli cihazların minyatürleştirilmesinde entegrasyon talebinin artmasıyla birlikte, arka taşlama teknolojisinin sadece sınırlarını aşması değil aynı zamanda gelişmeye devam etmesi de gerekiyor.Aynı zamanda sadece gofretin kusur sorununu çözmek değil, ilerleyen süreçte ortaya çıkabilecek yeni sorunlara da hazırlık yapmak gerekir.Bu sorunları çözmek için gerekli olabilir.anahtarişlem sırasını veya uygulanan kimyasal aşındırma teknolojisini tanıtınyarı iletkenön uç süreci ve tamamen yeni işleme yöntemleri geliştirmek.Geniş alanlı levhaların doğal kusurlarını çözmek için çeşitli öğütme yöntemleri araştırılmaktadır.Ayrıca gofretlerin öğütülmesinden sonra ortaya çıkan silikon cürufunun nasıl geri dönüştürülebileceği konusunda da araştırmalar yapılıyor.
Gönderim zamanı: Temmuz-14-2023