sipariş_bg

ürünler

Yepyeni Orijinal Elektronik bileşenler IC Çip IRF3205STRLPBF Entegre Devreler

Kısa Açıklama:


Ürün ayrıntısı

Ürün etiketleri

Ürün özellikleri

TİP TANIM
Kategori Ayrık Yarıiletken Ürünler

Transistörler – FET'ler, MOSFET'ler – Tek

Bay Infineon Teknolojileri
Seri HEXFET®
Paket Bant ve Makara (TR)

Bant Kes (CT)

Digi-Reel®

ürün durumu Aktif
FET Tipi N-Kanal
Teknoloji MOSFET (Metal Oksit)
Kaynak Gerilimine Tahliye (Vdss) 55V
Akım – Sürekli Tahliye (Id) @ 25°C 110A (TC)
Sürücü Gerilimi (Maks Rds Açık, Min Rds Açık) 10V
Rds Açık (Maks) @ Kimlik, Vgs 8mOhm @ 62A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Kimlik 4V @ 250μA
Geçit Yükü (Qg) (Maks) @ Vgs 146 nC @ 10 V
Vgs (Maks.) ±20V
Giriş Kapasitesi (Ciss) (Maks) @ Vds 3247 pF @ 25 V
FET Özelliği -
Güç Tüketimi (Maks.) 200W (TC)
Çalışma sıcaklığı -55°C ~ 175°C (TJ)
Montaj tipi Yüzey Montajı
Tedarikçi Cihaz Paketi D2PAK
Paket / Kasa TO-263-3, D²Pak (2 Uç + Sekme), TO-263AB
Temel Ürün Numarası IRF3205

Belgeler ve Medya

KAYNAK TİPİ BAĞLANTI
Veri sayfaları IRF3205(S,L)PbF
İlgili Diğer Belgeler IR Parça Numaralandırma Sistemi
Ürün Eğitim Modülleri Yüksek Gerilim Entegre Devreler (HVIC Geçit Sürücüleri)
Özellikli ürün Veri İşleme Sistemleri
HTML Veri Sayfası IRF3205(S,L)PbF
EDA Modelleri SnapEDA'dan IRF3205STRLPBF

IRF3205STRLPBF, Ultra Librarian tarafından

Simülasyon Modelleri IRF3205SPBF Kılıç Modeli

Çevre ve İhracat Sınıflandırmaları

BAĞLANMAK TANIM
RoHS Durumu ROHS3 Uyumlu
Nem Hassasiyet Seviyesi (MSL) 1 (Sınırsız)
ULAŞIM Durumu REACH Etkilenmez
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

Ek kaynaklar

BAĞLANMAK TANIM
Diğer isimler IRF3205STRLBF-ND

SP001576758

IRF3205STRLPBFTR

IRF3205STRLPBFDKR

IRF3205STRLPBFCT

Standart paket 800

Transistör, amplifikatörlerde veya elektronik olarak kontrol edilen anahtarlarda yaygın olarak kullanılan yarı iletken bir cihazdır.Transistörler bilgisayarların, cep telefonlarının ve diğer tüm modern elektronik devrelerin çalışmasını düzenleyen temel yapı taşlarıdır.

Hızlı yanıt hızları ve yüksek doğrulukları nedeniyle transistörler, amplifikasyon, anahtarlama, voltaj regülatörü, sinyal modülasyonu ve osilatör dahil olmak üzere çok çeşitli dijital ve analog işlevler için kullanılabilir.Transistörler tek tek paketlenebileceği gibi, bir entegre devrenin parçası olarak 100 milyon veya daha fazla transistörü barındırabilecek çok küçük bir alanda da paketlenebilir.

Elektron tüpüyle karşılaştırıldığında transistörün birçok avantajı vardır:

Bileşenin tüketimi yok

Tüp ne kadar iyi olursa olsun katot atomlarındaki değişiklikler ve kronik hava sızıntısı nedeniyle giderek bozulacaktır.Teknik nedenlerden dolayı transistörler ilk üretildiğinde aynı sorunu yaşadılar.Malzemelerdeki ilerlemeler ve pek çok açıdan iyileştirmeler sayesinde, transistörler genellikle elektronik tüplerden 100 ila 1000 kat daha uzun süre dayanır.

Çok az güç tüketin

Elektron tüpünün yalnızca onda biri veya onda biri kadardır.Elektron tüpü gibi serbest elektronlar üretmek için filamenti ısıtmaya gerek yoktur.Bir transistörlü radyonun yılda altı ay boyunca dinlemek için yalnızca birkaç kuru pile ihtiyacı vardır ve bu, tüplü radyo için zordur.

Ön ısıtmaya gerek yok

Açtığınız anda çalışın.Örneğin transistörlü bir radyo açılır açılmaz kapanır ve transistörlü bir televizyon açılır açılmaz görüntü oluşur.Vakum tüpü ekipmanı bunu yapamaz.Açılıştan sonra sesi duymak için bir süre bekleyin, resmi görün.Açıkçası askeri alanda, ölçümde, kayıtta vs. transistörler çok avantajlıdır.

Güçlü ve güvenilir

Elektron tüpünden 100 kat daha güvenilir, şok direnci, titreşim direnci, elektron tüpüyle karşılaştırılamaz.Ek olarak, transistörün boyutu elektron tüpünün boyutunun yalnızca onda biri ila yüzde biri kadardır, çok az ısı açığa çıkar ve küçük, karmaşık, güvenilir devreler tasarlamak için kullanılabilir.Transistörün üretim süreci kesin olmasına rağmen süreç basittir ve bu da bileşenlerin kurulum yoğunluğunu artırmaya yardımcı olur.


  • Öncesi:
  • Sonraki:

  • Mesajınızı buraya yazıp bize gönderin