(Elektronik Bileşenler IC Cipsler Entegre Devreler IC) XC7A75T-2FGG676I
Ürün özellikleri
| TİP | TANIM |
| Kategori | Entegre Devreler (IC'ler) |
| Bay | AMD Xilinx |
| Seri | Artix-7 |
| Paket | Tepsi |
| ürün durumu | Aktif |
| LAB/CLB sayısı | 5900 |
| Mantıksal Eleman/Hücre Sayısı | 75520 |
| Toplam RAM Bit Sayısı | 3870720 |
| G/Ç sayısı | 300 |
| Gerilim – Besleme | 0,95V ~ 1,05V |
| Montaj tipi | Yüzey Montajı |
| Çalışma sıcaklığı | -40°C ~ 100°C (TJ) |
| Paket / Kasa | 676-BGA |
| Tedarikçi Cihaz Paketi | 676-FBGA (27×27) |
| Temel Ürün Numarası | XC7A75 |
Ürün Bilgisi Hatasını Bildirin
Benzeri Görüntüle
Belgeler ve Medya
| KAYNAK TİPİ | BAĞLANTI |
| Veri sayfaları | Artix-7 FPGA Veri Sayfası |
| Çevresel Bilgiler | Xilinx REACH211 Sertifikası |
| Özellikli ürün | USB104 A7 Artix-7 FPGA Geliştirme Kartı |
| EDA Modelleri | XC7A75T-2FGG676I, Ultra Librarian tarafından |
Çevre ve İhracat Sınıflandırmaları
| BAĞLANMAK | TANIM |
| RoHS Durumu | ROHS3 Uyumlu |
| Nem Hassasiyet Seviyesi (MSL) | 3 (168 Saat) |
| ULAŞIM Durumu | REACH Etkilenmez |
| ECCN | 3A991D |
| HTSUS | 8542.39.0001 |
Entegre devre
Bir entegre devre veya monolitik entegre devre (aynı zamanda IC, çip veya mikroçip olarak da anılır) bir dizi entegreden oluşur.elektronik devrelerküçük bir düz parça (veya “yonga”) üzerindeyarı iletkengenellikle malzemesilikon.Büyük sayılarminikMOSFET'ler(metal-oksit-yarı iletkenAlan Etkili Transistörler) küçük bir çipe entegre olur.Bu, ayrık devrelerden inşa edilenlerden çok daha küçük, daha hızlı ve daha ucuz devrelerin ortaya çıkmasına neden olur.elektronik parçalar.IC'lerseri üretimyetenek, güvenilirlik ve yapı taşı yaklaşımıentegre devre tasarımıayrık sistemler kullanan tasarımlar yerine standartlaştırılmış entegre devrelerin hızlı bir şekilde benimsenmesini sağlamıştır.transistörler.IC'ler artık neredeyse tüm elektronik ekipmanlarda kullanılıyor ve dünyada devrim yarattı.elektronik.Bilgisayarlar,cep telefonlarıve diğeriev Aletleriartık modern toplumların yapısının ayrılmaz parçalarıdır ve modern gibi entegre devrelerin küçük boyutu ve düşük maliyeti sayesinde mümkün olmuştur.bilgisayar işlemcileriVemikrodenetleyiciler.
Çok Büyük Ölçekli Entegrasyonteknolojik gelişmeler sayesinde pratik hale getirilmiştir.metal oksit – silikon(MOS)yarı iletken cihaz imalatı.1960'lardaki kökenlerinden bu yana, çiplerin boyutu, hızı ve kapasitesi, aynı boyuttaki çiplere giderek daha fazla MOS transistörü sığdıran teknik ilerlemelerin etkisiyle muazzam bir ilerleme kaydetti; modern bir çip, bir çipte milyarlarca MOS transistörüne sahip olabilir. insan tırnağı büyüklüğünde bir alan.Bu ilerlemeler kabaca aşağıdakiMoore yasası, günümüzün bilgisayar çiplerinin 1970'lerin başındaki bilgisayar çiplerinin milyonlarca katı kapasiteye ve binlerce kat daha hızlı olmasını sağlamak.
IC'lerin iki ana avantajı vardır:ayrık devreler: maliyet ve performans.Çipler tüm bileşenleriyle birlikte bir birim olarak basıldığından maliyeti düşüktür.fotolitografiher seferinde bir transistör inşa edilmek yerine.Ayrıca, paketlenmiş IC'ler ayrık devrelerden çok daha az malzeme kullanır.Performans yüksektir çünkü IC'nin bileşenleri hızlı bir şekilde değişir ve küçük boyutları ve yakınlıkları nedeniyle nispeten daha az güç tüketir.IC'lerin ana dezavantajı, onları tasarlamanın ve gerekli parçaları üretmenin yüksek maliyetidir.fotoğraf maskeleri.Bu yüksek başlangıç maliyeti, IC'lerin yalnızca ticari olarak uygun olduğu anlamına gelir.yüksek üretim hacimleribekleniyor.
Terminoloji[düzenlemek]
Birentegre devreolarak tanımlanır:[1]
Devre elemanlarının tamamının veya bir kısmının ayrılmaz bir şekilde birleştiği ve elektriksel olarak birbirine bağlandığı, böylece inşaat ve ticaret amaçları açısından bölünmez olduğu kabul edilen bir devre.
Bu tanımı karşılayan devreler, aşağıdakiler de dahil olmak üzere birçok farklı teknoloji kullanılarak oluşturulabilir:ince film transistörler,kalın film teknolojileri, veyahibrit entegre devreler.Ancak genel kullanımdaentegre devreorijinal olarak bilinen tek parçalı devre yapısına atıfta bulunmaya başlamıştır.monolitik entegre devregenellikle tek bir silikon parçası üzerine inşa edilir.[2][3]
Tarih
Birkaç bileşeni tek bir cihazda (modern IC'ler gibi) birleştirmeye yönelik ilk girişim,Loewe 3NF1920'lerden kalma vakum tüpü.IC'lerden farklı olarak, şu amaçla tasarlanmıştır:Vergi kaçakçılığıAlmanya'da olduğu gibi, radyo alıcıları, radyo alıcısının sahip olduğu tüp tutucu sayısına bağlı olarak alınan bir vergiye sahipti.Radyo alıcılarının tek tüp tutucuya sahip olmasına izin verdi.
Entegre devrenin ilk kavramları, Alman mühendisin 1949'a kadar uzanıyor.Werner Jacobi[4](Siemens AG)[5]entegre devre benzeri yarı iletken amplifikatör cihazı için patent başvurusunda bulundu[6]beş gösteriliyortransistörlerüç aşamalı bir ortak alt tabaka üzerindeamplifikatörayarlama.Jacobi küçük ve ucuz olduğunu açıkladıişitme cihazlarıpatentinin tipik endüstriyel uygulamaları olarak.Patentinin acil ticari kullanımı bildirilmemiştir.
Konseptin bir başka erken savunucusu daGeoffrey Dummer(1909–2002), radar bilimcisiKraliyet Radar KurulumuİngilizlerinSavunma Bakanlığı.Dummer bu fikri, Kalite Elektronik Bileşenlerinde İlerleme Sempozyumu'nda kamuoyuna sundu.Washington DC7 Mayıs 1952'de.[7]1956'da fikirlerini yaymak için birçok sempozyum düzenledi ve böyle bir devre kurma girişiminde başarısız oldu. 1953 ile 1957 yılları arasında,Sidney Darlingtonve Yasuo Tarui (Elektroteknik Laboratuvarı) birkaç transistörün ortak bir aktif alanı paylaşabileceği benzer çip tasarımları önerdi, ancakelektriksel izolasyononları birbirinden ayırmak için.[4]
Monolitik entegre devre çipi, icatlarla mümkün kılındı.düzlemsel süreçileJean HoerniVep-n bağlantı izolasyonuileKurt Lehovec.Hoerni'nin icadı üzerine inşa edildiMuhammed M. AtallaFuller ve Ditzenberger'in bor ve fosfor safsızlıklarının silikona difüzyonu üzerine çalışmasının yanı sıra yüzey pasivasyonu üzerine çalışması,Carl Froschve Lincoln Derick'in yüzey korumasına ilişkin çalışması veChih-Tang Sahoksit tarafından difüzyon maskeleme üzerinde çalışıyor.[8]
