sipariş_bg

ürünler

IRF7103TRPBF Yeni Ve Orijinal Entegre Devre IC Çipi IRF7103TRPBF

Kısa Açıklama:


Ürün ayrıntısı

Ürün etiketleri

Ürün özellikleri

TİP TANIM
Kategori Ayrık Yarıiletken Ürünler

Transistörler – FET'ler, MOSFET'ler – Diziler

Bay Infineon Teknolojileri
Seri HEXFET®
Paket Bant ve Makara (TR)

Bant Kes (CT)

Digi-Reel®

ürün durumu Aktif
FET Tipi 2 N-Kanal (Çift)
FET Özelliği Standart
Kaynak Gerilimine Tahliye (Vdss) 50V
Akım – Sürekli Tahliye (Id) @ 25°C 3A
Rds Açık (Maks) @ Kimlik, Vgs 130mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Kimlik 3V @ 250μA
Geçit Yükü (Qg) (Maks) @ Vgs 30nC @ 10V
Giriş Kapasitesi (Ciss) (Maks) @ Vds 290pF @ 25V
Maksimum güç 2W
Çalışma sıcaklığı -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaj tipi Yüzey Montajı
Paket / Kasa 8-SOIC (0,154″, 3,90mm Genişlik)
Tedarikçi Cihaz Paketi 8-SO
Temel Ürün Numarası IRF7103

Belgeler ve Medya

KAYNAK TİPİ BAĞLANTI
Veri sayfaları IRF7103PbF
İlgili Diğer Belgeler IR Parça Numaralandırma Sistemi
Özellikli ürün Veri İşleme Sistemleri
HTML Veri Sayfası IRF7103PbF
EDA Modelleri IRF7103TRPBF, Ultra Librarian tarafından

Çevre ve İhracat Sınıflandırmaları

BAĞLANMAK TANIM
RoHS Durumu ROHS3 Uyumlu
Nem Hassasiyet Seviyesi (MSL) 1 (Sınırsız)
ULAŞIM Durumu REACH Etkilenmez
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

Ek kaynaklar

BAĞLANMAK TANIM
Diğer isimler *IRF7103TRPBF

IRF7103PBFDKR

Q7499123

IRF7103PBFTR

SP001562004

IRF7103PBFCT

Standart paket 4.000

Transistör, amplifikatörlerde veya elektronik olarak kontrol edilen anahtarlarda yaygın olarak kullanılan yarı iletken bir cihazdır.Transistörler bilgisayarların, cep telefonlarının ve diğer tüm modern elektronik devrelerin çalışmasını düzenleyen temel yapı taşlarıdır.

Hızlı yanıt hızları ve yüksek doğrulukları nedeniyle transistörler, amplifikasyon, anahtarlama, voltaj regülatörü, sinyal modülasyonu ve osilatör dahil olmak üzere çok çeşitli dijital ve analog işlevler için kullanılabilir.Transistörler tek tek paketlenebileceği gibi, bir entegre devrenin parçası olarak 100 milyon veya daha fazla transistörü barındırabilecek çok küçük bir alanda da paketlenebilir.

Elektron tüpüyle karşılaştırıldığında transistörün birçok avantajı vardır:

1.Bileşenin tüketimi yoktur

Tüp ne kadar iyi olursa olsun katot atomlarındaki değişiklikler ve kronik hava sızıntısı nedeniyle giderek bozulacaktır.Teknik nedenlerden dolayı transistörler ilk üretildiğinde aynı sorunu yaşadılar.Malzemelerdeki ilerlemeler ve pek çok açıdan iyileştirmeler sayesinde, transistörler genellikle elektronik tüplerden 100 ila 1000 kat daha uzun süre dayanır.

2.Çok az güç tüketin

Elektron tüpünün yalnızca onda biri veya onda biri kadardır.Elektron tüpü gibi serbest elektronlar üretmek için filamenti ısıtmaya gerek yoktur.Bir transistörlü radyonun yılda altı ay boyunca dinlemek için yalnızca birkaç kuru pile ihtiyacı vardır ve bu, tüplü radyo için zordur.

3.Ön ısıtmaya gerek yok

Açtığınız anda çalışın.Örneğin transistörlü bir radyo açılır açılmaz kapanır ve transistörlü bir televizyon açılır açılmaz görüntü oluşur.Vakum tüpü ekipmanı bunu yapamaz.Açılıştan sonra sesi duymak için bir süre bekleyin, resmi görün.Açıkçası askeri alanda, ölçümde, kayıtta vs. transistörler çok avantajlıdır.

4.Güçlü ve güvenilir

Elektron tüpünden 100 kat daha güvenilir, şok direnci, titreşim direnci, elektron tüpüyle karşılaştırılamaz.Ek olarak, transistörün boyutu elektron tüpünün boyutunun yalnızca onda biri ila yüzde biri kadardır, çok az ısı açığa çıkar ve küçük, karmaşık, güvenilir devreler tasarlamak için kullanılabilir.Transistörün üretim süreci kesin olmasına rağmen süreç basittir ve bu da bileşenlerin kurulum yoğunluğunu artırmaya yardımcı olur.


  • Öncesi:
  • Sonraki:

  • Mesajınızı buraya yazıp bize gönderin