Yeni Orijinal Entegre Devre BSP772T IP5306 BSZ040N06LS5 TLE7270-2D IC Çip
BSZ040N06LS5
Infineon'un OptiMOS™ 5 güçlü MOSFET mantık seviyesi kablosuz şarj, adaptör ve telekom uygulamaları için son derece uygundur.Cihazların düşük geçit yükü (Q g), iletim kayıplarından ödün vermeden anahtarlama kayıplarını azaltır.Geliştirilmiş liyakat rakamları, yüksek anahtarlama frekanslarında operasyonlara izin verir.Ayrıca, mantık seviyesi sürücüsü düşük geçit eşikleri sağlarMOSFET'lerin 5V'ta ve doğrudan mikrokontrolörlerden sürülmesine olanak tanıyan tutma voltajı (V GS(th))
Özelliklerin Özeti
Küçük pakette düşük R DS(açık)
Düşük kapı ücreti
Daha düşük çıkış şarjı
Mantık düzeyi uyumluluğu
Faydalar
Daha yüksek güç yoğunluğu tasarımları
Daha yüksek anahtarlama frekansı
5V kaynakların mevcut olduğu her yerde azaltılmış parça sayısı
Doğrudan mikrodenetleyicilerden yönlendirilir (yavaş anahtarlama)
Sistem maliyetinin azaltılması
Parametrikler
| Parametrikler | BSZ040N06LS5 |
| Bütçe Fiyatı €/1 bin | 0,56 |
| Ciss | 2400pF |
| Çünkü | 500pF |
| Kimlik (@25°C) maks. | 101 bir |
| Maksimum IDpuls | 404 bir |
| Montaj | SMD |
| Çalışma Sıcaklığı min maks | -55°C 150°C |
| Maksimum puan | 69 W |
| Paket | PQFN3,3x3,3 |
| Pin Sayısı | 8 Pin |
| Polarite | N |
| QG (tip @4,5V) | 18 NC |
| Qgd | 5,3 nC |
| RDS (açık) (@4,5V LL) maks | 5,6 mΩ |
| RDS (açık) (@4,5V) maks | 5,6 mΩ |
| RDS (açık) (@10V) maks | 4 mΩ |
| Rth maks | 1,8 K/W |
| RthJA maksimum | 62K/W |
| RthJC maksimum | 1,8 K/W |
| Maksimum VDS | 60V |
| VGS(th) min maks | 1,7 V 1,1 V 2,3 V |
