BSZ060NE2LS IC Çip Yeni Orijinal Entegre Devre, En İyi Fiyatla Yüksek Kalite
Ürün özellikleri
| TİP | TANIM |
| Kategori | Ayrık Yarıiletken ÜrünlerTransistörler – FET'ler, MOSFET'ler – Tek |
| Bay | Infineon Teknolojileri |
| Seri | OptiMOS™ |
| Paket | Bant ve Makara (TR)Bant Kes (CT) Digi-Reel® |
| ürün durumu | Aktif |
| FET Tipi | N-Kanal |
| Teknoloji | MOSFET (Metal Oksit) |
| Kaynak Gerilimine Tahliye (Vdss) | 25V |
| Akım – Sürekli Tahliye (Id) @ 25°C | 12A (Ta), 40A (Tc) |
| Sürücü Gerilimi (Maks Rds Açık, Min Rds Açık) | 4.5V, 10V |
| Rds Açık (Maks) @ Kimlik, Vgs | 6mOhm @ 20A, 10V |
| Vgs(th) (Maks) @ Kimlik | 2V @ 250μA |
| Geçit Yükü (Qg) (Maks) @ Vgs | 9,1 nC @ 10 V |
| Vgs (Maks.) | ±20V |
| Giriş Kapasitesi (Ciss) (Maks) @ Vds | 670 pF @ 12 V |
| FET Özelliği | - |
| Güç Tüketimi (Maks.) | 2,1W (Ta), 26W (Tc) |
| Çalışma sıcaklığı | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montaj tipi | Yüzey Montajı |
| Tedarikçi Cihaz Paketi | PG-TSDSON-8-FL |
| Paket / Kasa | 8-PowerTDFN |
| Temel Ürün Numarası | BSZ060 |
Belgeler ve Medya
| KAYNAK TİPİ | BAĞLANTI |
| Veri sayfaları | BSZ060NE2LS |
| İlgili Diğer Belgeler | Parça Numarası Kılavuzu |
| Özellikli ürün | Veri İşleme Sistemleri |
| EDA Modelleri | BSZ060NE2LSATMA1, Ultra Kütüphaneci tarafındanSnapEDA'dan BSZ060NE2LS |
| Simülasyon Modelleri | MOSFET OptiMOS™ 25V N-Kanal Baharat Modeli |
Çevre ve İhracat Sınıflandırmaları
| BAĞLANMAK | TANIM |
| RoHS Durumu | ROHS3 Uyumlu |
| Nem Hassasiyet Seviyesi (MSL) | 1 (Sınırsız) |
| ULAŞIM Durumu | REACH Etkilenmez |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
Ek kaynaklar
| BAĞLANMAK | TANIM |
| Diğer isimler | BSZ060NE2LSBSZ060NE2LS-ND BSZ060NE2LSATMA1CT BSZ060NE2LSDKR-ND SP000776122 BSZ060NE2LSCT-ND BSZ060NE2LSTR-ND BSZ060NE2LSATMA1DKR BSZ060NE2LSDKR BSZ060NE2LSATMA1TR BSZ060NE2LSCT |
| Standart paket | 5.000 |
Transistör, amplifikatörlerde veya elektronik olarak kontrol edilen anahtarlarda yaygın olarak kullanılan yarı iletken bir cihazdır.Transistörler bilgisayarların, cep telefonlarının ve diğer tüm modern elektronik devrelerin çalışmasını düzenleyen temel yapı taşlarıdır.
Hızlı yanıt hızları ve yüksek doğrulukları nedeniyle transistörler, amplifikasyon, anahtarlama, voltaj regülatörü, sinyal modülasyonu ve osilatör dahil olmak üzere çok çeşitli dijital ve analog işlevler için kullanılabilir.Transistörler tek tek paketlenebileceği gibi, bir entegre devrenin parçası olarak 100 milyon veya daha fazla transistörü barındırabilecek çok küçük bir alanda da paketlenebilir.
Elektron tüpüyle karşılaştırıldığında transistörün birçok avantajı vardır:
1.Bileşenin tüketimi yoktur
Tüp ne kadar iyi olursa olsun katot atomlarındaki değişiklikler ve kronik hava sızıntısı nedeniyle giderek bozulacaktır.Teknik nedenlerden dolayı transistörler ilk üretildiğinde aynı sorunu yaşadılar.Malzemelerdeki ilerlemeler ve pek çok açıdan iyileştirmeler sayesinde, transistörler genellikle elektronik tüplerden 100 ila 1000 kat daha uzun süre dayanır.
2.Çok az güç tüketin
Elektron tüpünün yalnızca onda biri veya onda biri kadardır.Elektron tüpü gibi serbest elektronlar üretmek için filamenti ısıtmaya gerek yoktur.Bir transistörlü radyonun yılda altı ay boyunca dinlemek için yalnızca birkaç kuru pile ihtiyacı vardır ve bu, tüplü radyo için zordur.
3.Ön ısıtmaya gerek yok
Açtığınız anda çalışın.Örneğin transistörlü bir radyo açılır açılmaz kapanır ve transistörlü bir televizyon açılır açılmaz görüntü oluşur.Vakum tüpü ekipmanı bunu yapamaz.Açılıştan sonra sesi duymak için bir süre bekleyin, resmi görün.Açıkçası askeri alanda, ölçümde, kayıtta vs. transistörler çok avantajlıdır.
4.Güçlü ve güvenilir
Elektron tüpünden 100 kat daha güvenilir, şok direnci, titreşim direnci, elektron tüpüyle karşılaştırılamaz.Ek olarak, transistörün boyutu elektron tüpünün boyutunun yalnızca onda biri ila yüzde biri kadardır, çok az ısı açığa çıkar ve küçük, karmaşık, güvenilir devreler tasarlamak için kullanılabilir.Transistörün üretim süreci kesin olmasına rağmen süreç basittir ve bu da bileşenlerin kurulum yoğunluğunu artırmaya yardımcı olur.
