sipariş_bg

ürünler

BSZ060NE2LS IC Çip Yeni Orijinal Entegre Devre, En İyi Fiyatla Yüksek Kalite

Kısa Açıklama:


Ürün ayrıntısı

Ürün etiketleri

Ürün özellikleri

TİP TANIM
Kategori Ayrık Yarıiletken ÜrünlerTransistörler – FET'ler, MOSFET'ler – Tek
Bay Infineon Teknolojileri
Seri OptiMOS™
Paket Bant ve Makara (TR)Bant Kes (CT)

Digi-Reel®

ürün durumu Aktif
FET Tipi N-Kanal
Teknoloji MOSFET (Metal Oksit)
Kaynak Gerilimine Tahliye (Vdss) 25V
Akım – Sürekli Tahliye (Id) @ 25°C 12A (Ta), 40A (Tc)
Sürücü Gerilimi (Maks Rds Açık, Min Rds Açık) 4.5V, 10V
Rds Açık (Maks) @ Kimlik, Vgs 6mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Kimlik 2V @ 250μA
Geçit Yükü (Qg) (Maks) @ Vgs 9,1 nC @ 10 V
Vgs (Maks.) ±20V
Giriş Kapasitesi (Ciss) (Maks) @ Vds 670 pF @ 12 V
FET Özelliği -
Güç Tüketimi (Maks.) 2,1W (Ta), 26W (Tc)
Çalışma sıcaklığı -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaj tipi Yüzey Montajı
Tedarikçi Cihaz Paketi PG-TSDSON-8-FL
Paket / Kasa 8-PowerTDFN
Temel Ürün Numarası BSZ060

Belgeler ve Medya

KAYNAK TİPİ BAĞLANTI
Veri sayfaları BSZ060NE2LS
İlgili Diğer Belgeler Parça Numarası Kılavuzu
Özellikli ürün Veri İşleme Sistemleri
EDA Modelleri BSZ060NE2LSATMA1, Ultra Kütüphaneci tarafındanSnapEDA'dan BSZ060NE2LS
Simülasyon Modelleri MOSFET OptiMOS™ 25V N-Kanal Baharat Modeli

Çevre ve İhracat Sınıflandırmaları

BAĞLANMAK TANIM
RoHS Durumu ROHS3 Uyumlu
Nem Hassasiyet Seviyesi (MSL) 1 (Sınırsız)
ULAŞIM Durumu REACH Etkilenmez
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

Ek kaynaklar

BAĞLANMAK TANIM
Diğer isimler BSZ060NE2LSBSZ060NE2LS-ND

BSZ060NE2LSATMA1CT

BSZ060NE2LSDKR-ND

SP000776122

BSZ060NE2LSCT-ND

BSZ060NE2LSTR-ND

BSZ060NE2LSATMA1DKR

BSZ060NE2LSDKR

BSZ060NE2LSATMA1TR

BSZ060NE2LSCT

Standart paket 5.000

Transistör, amplifikatörlerde veya elektronik olarak kontrol edilen anahtarlarda yaygın olarak kullanılan yarı iletken bir cihazdır.Transistörler bilgisayarların, cep telefonlarının ve diğer tüm modern elektronik devrelerin çalışmasını düzenleyen temel yapı taşlarıdır.

Hızlı yanıt hızları ve yüksek doğrulukları nedeniyle transistörler, amplifikasyon, anahtarlama, voltaj regülatörü, sinyal modülasyonu ve osilatör dahil olmak üzere çok çeşitli dijital ve analog işlevler için kullanılabilir.Transistörler tek tek paketlenebileceği gibi, bir entegre devrenin parçası olarak 100 milyon veya daha fazla transistörü barındırabilecek çok küçük bir alanda da paketlenebilir.

Elektron tüpüyle karşılaştırıldığında transistörün birçok avantajı vardır:

1.Bileşenin tüketimi yoktur

Tüp ne kadar iyi olursa olsun katot atomlarındaki değişiklikler ve kronik hava sızıntısı nedeniyle giderek bozulacaktır.Teknik nedenlerden dolayı transistörler ilk üretildiğinde aynı sorunu yaşadılar.Malzemelerdeki ilerlemeler ve pek çok açıdan iyileştirmeler sayesinde, transistörler genellikle elektronik tüplerden 100 ila 1000 kat daha uzun süre dayanır.

2.Çok az güç tüketin

Elektron tüpünün yalnızca onda biri veya onda biri kadardır.Elektron tüpü gibi serbest elektronlar üretmek için filamenti ısıtmaya gerek yoktur.Bir transistörlü radyonun yılda altı ay boyunca dinlemek için yalnızca birkaç kuru pile ihtiyacı vardır ve bu, tüplü radyo için zordur.

3.Ön ısıtmaya gerek yok

Açtığınız anda çalışın.Örneğin transistörlü bir radyo açılır açılmaz kapanır ve transistörlü bir televizyon açılır açılmaz görüntü oluşur.Vakum tüpü ekipmanı bunu yapamaz.Açılıştan sonra sesi duymak için bir süre bekleyin, resmi görün.Açıkçası askeri alanda, ölçümde, kayıtta vs. transistörler çok avantajlıdır.

4.Güçlü ve güvenilir

Elektron tüpünden 100 kat daha güvenilir, şok direnci, titreşim direnci, elektron tüpüyle karşılaştırılamaz.Ek olarak, transistörün boyutu elektron tüpünün boyutunun yalnızca onda biri ila yüzde biri kadardır, çok az ısı açığa çıkar ve küçük, karmaşık, güvenilir devreler tasarlamak için kullanılabilir.Transistörün üretim süreci kesin olmasına rağmen süreç basittir ve bu da bileşenlerin kurulum yoğunluğunu artırmaya yardımcı olur.


  • Öncesi:
  • Sonraki:

  • Mesajınızı buraya yazıp bize gönderin